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新闻 2019/06/03

Intel SSD 660P—首款消费类QLC SSD


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首个消费级3D QLC快闪记忆体NVMe固态硬盘——Intel 660p横空出世。英特尔660p使用M.2 2280规格,使用PCIe3.0 x4界面,支援NVMe协定,目标市场是入门与主流存储。作为家用固态硬盘,512GB起步,最高2TB的存储容量使得它能够满足仓库型固态硬盘的定位。



660P 系列外观界面上M.2 2280规格,容量有512G,1T, 2T 三种:


这款主控采用的是慧荣SM2263EN。与自家760P所使用的SM2262相比,则砍掉了一半的快闪记忆体通道支援,自然性能也会有所降低。提供有外置DRAM缓存(外置缓存来自华邦的256MB DDR3)。不过不同容量版本都只搭配了256MB的外置DRAM缓存

Intel这代QLC颗粒采用和760P所用的TLC一样的64层堆叠技术生产,在此工艺下生产的QLC颗粒可以达到单Die 1Tb。660P 512GB版本采用的是2Die封装的颗粒,单颗2Tb(256GB),两颗共计512GB



QLC快闪记忆体的自身性能显然要比TLC更低一些,为此英特尔加强了SLC缓存算法的研究,为660p引入动态SLC缓存策略。在空盘条件下660p的SLC缓存容量设置有一个上限,随著使用者资料的写入,硬盘会调整SLC缓存的范围实现容量与性能的均衡。



在没有触及SLC缓存压缩线之前,英特尔660p的表现很多3D TLC固态硬盘一样好。在Tom’s Hardware的测试中,Intel 660p 1T(64层3D QLC快闪记忆体)甚至在PCMark 8实用性能测试中超越了Intel 760p 512G(64层3D TLC快闪记忆体)。在主控与快闪记忆体均存在劣势的情况下660p能实现这样的超越,只有SLC缓存算法优化这一个答案。

当然,以上只是空盘或少量空间使用率情况下的表现,重负载或者较高空间占用率下肯定会有不同的表现,未来还需要更多的发掘和探索。据Anandtech对1TB版本的测试,SLC缓存用尽后660p的顺序写入速度大约100MB/s。QLC不适合重负载读写应用,尤其是接近满盘的情况下660p的延迟会出现暴增

以前Intel的产品,无论是600P还是760P,其SLC Cache都是一个固定数值,比如760P的Cache在5GB左右。而这次660P采用了一种动态Cache技术,即Cache容量与硬盘的可用空间有直接关系, 当硬盘使用空间在100GB以内时,SLC Cache维持在70GB。使用200GB时Cache降低为50GB,并随后成比例下降。当硬盘使用空间超过400GB时,Cache容量缩减到4GB左右。这种动态Cache策略的应用使得硬盘在占用较少时可以获得更大的缓存从而得到更佳的性能。

我们都知道660P是一款主流产品,所以这个测试结果也在意料之中,无论持续读写还是随机性能,在今年乃至去年所发布的NVME产品中都处于主流水准。Intel对于512G版本的660P标注的持续读取写入速度分别为1500MB/S和1000MB/S,看来在Cache范围内这个资料还是准确的



SSD 660P 系列相关参数:


英特尔为660p提供了5年保修,512G、1TB和2TB的标称写入耐久度分别为100TB、200TB和400TB,折合到每天的写入量为56GB、112GB和224GB,与当代入门级TLC固态硬盘类似。

作为Intel第一款民用QLC产品,660P 系列Cache容量庞大,能够胜任在绝大多数的使用场景,空盘或轻度使用条件下性能良好。大容量,单价便宜是不错的选择。

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